HBM、DDR5明年营收还要翻倍?SK海力士“翻身仗”押注AI

①由于AI需求激增,HBM价格是现有DRAM产品的5-6倍,DDR5价格也比DDR4高出15%到20%;
②公司将HBM4的生产目标时间定在了2026年,并计划在其中采用先进封装技术“混合键合”。

《科创板日报》7月21日讯随着各路资本持续加注人工智能,卡住“存力”环节的存储芯片公司再次站到了聚光灯下。不过,在这场盛宴之中,并不是所有人都有资格受到邀请,手握门票、率先入场的SK海力士更是尤其明白这个道理。

这张门票正是当下供不应求的HBM。

由于人工智能需求激增,HBM和DDR5的价格和需求都在增长。HBM的价格是现有DRAM产品的5-6倍;DDR5的价格也比DDR4高出15%到20%

另据BusinessKorea援引业内人士消息透露,在最近一次非公开企业说明会上,SK海力士预计,2024年HBM和DDR5的销售额有望翻番

虽然目前HBM在SK海力士的营收占比不及1%,但今年这一比例便有望上升至10%。而SK海力士今年上半年预计亏损超过6万亿韩元,如今或许意在凭借高附加值内存实现反弹

公司副总裁Park Myoung-soo对整个市场前景颇为乐观。他预计,AI服务器内存(包括HBM、DDR4和DDR5)在整个服务器内存市场的份额将从今年的17%增加到5年后的38%,未来5年人工智能服务器效应带来的新增DRAM需求将累计达到400亿GB。SK海力士目标2026年生产HBM4。

另外,SK海力士还透露了未来产品的具体路线图。

公司已明确明年上半年生产HBM3E,并将HBM4的生产目标时间定在了2026年。SK海力士计划在HBM4中采用先进封装技术“混合键合(hybrid bonding)”,与现有的“非导电膜(non - conductive film)”相比,混合键合提高了散热效率、减少了布线长度、提高了输入/输出密度,还能将HBM层数限制由12层提升至16层

在此之前,SK海力士已着手扩建HBM产线,目标将HBM产能翻倍。扩产焦点在于HBM3,SK海力士正在准备投资后段工艺设备,将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末,后段工艺设备规模将增加近一倍。

而半导体行业中,围绕高附加值DRAM的竞争将日趋激烈。

另一存储芯片巨头三星也计划投资1万亿韩元(约合7.6亿美元)扩产HBM,目标明年底之前将HBM产能提高一倍,公司已下达主要设备订单。韩媒还指出,从第四季度开始,三星将向英伟达供应HBM3,目前后者的HBM由SK海力士独供

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